RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
77
Por volta de -148% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3125
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link