RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
13.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
77
Por volta de -157% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
13.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3100
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link