RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
77
Por volta de -120% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2863
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kllisre 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link