RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
77
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
54
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
9.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2264
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G4M1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link