RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
77
Por volta de -185% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
14.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3557
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link