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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
77
Por volta de -235% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
11.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2495
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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