RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
77
Por volta de -166% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
15.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3757
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link