RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
24.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
19.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
77
Por volta de -185% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
24.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
19.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
4174
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link