RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
77
Por volta de -175% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
15.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3637
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link