RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
50
77
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
50
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2326
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link