RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
77
Por volta de -208% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.3
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
6.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
1617
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link