Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Pontuação geral
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 16.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,622.0 left arrow 13.5
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 77
    Por volta de -196% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 5300
    Por volta de 4.02 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    77 left arrow 26
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,405.2 left arrow 16.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,622.0 left arrow 13.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    763 left arrow 2880
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações