RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
77
Por volta de -235% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2244
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link