RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
77
Por volta de -208% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
11.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2305
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link