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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
77
101
Por volta de 24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.4
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
101
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
6.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
1399
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
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