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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
77
Por volta de -126% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
10.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2634
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
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Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
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