RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
77
Por volta de -250% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
6.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2120
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link