RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
73
77
Por volta de -5% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.1
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
73
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
7.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
1609
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link