Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Pontuação geral
star star star star star
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 10
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    54 left arrow 77
    Por volta de -43% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.5 left arrow 2,622.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 5300
    Por volta de 3.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    77 left arrow 54
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,405.2 left arrow 10.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,622.0 left arrow 8.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    763 left arrow 2354
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações