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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
77
Por volta de -141% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
13.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3247
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
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A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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