RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
77
Por volta de -114% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2353
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link