RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Super Talent F24EB8GS 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Super Talent F24EB8GS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Super Talent F24EB8GS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
77
Por volta de -148% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3017
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-038.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link