RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
77
Por volta de -221% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
14.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3095
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link