Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Pontuação geral
star star star star star
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

Diferenças

  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 17000
    Por volta de 1.13% maior largura de banda
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    17 left arrow 25
    Por volta de -47% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    20.9 left arrow 13.4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    16.0 left arrow 12.1
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR5 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    25 left arrow 17
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.4 left arrow 20.9
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.1 left arrow 16.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    no data / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    3419 left arrow 3550
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações