RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
65
Por volta de 45% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
15
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
65
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
8.4
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2041
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link