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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
36
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
10.3
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
11.8
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2960
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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