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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
36
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
32
Velocità di lettura, GB/s
15.0
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
2960
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
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