RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
33
Por volta de -3% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
32
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
10.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2895
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link