RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
33
Около -3% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2895
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link