RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
33
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
32
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2895
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link