RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
14.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
33
Por volta de -43% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
23
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
7.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2298
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link