RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
33
En -43% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
23
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2298
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link