RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2298
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link