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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
42
Por volta de 21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
42
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
11.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2074
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
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Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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