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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
42
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
42
读取速度,GB/s
17.6
14.3
写入速度,GB/s
12.0
11.0
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2074
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
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