RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
42
Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
42
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2074
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link