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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
56
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
56
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2761
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
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