RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
26
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3171
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link