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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
56
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.7
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
56
读取速度,GB/s
17.6
16.4
写入速度,GB/s
12.0
13.7
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2761
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
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Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
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