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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
总分
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.1
7.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
10600
8500
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
41
左右 -14% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
36
读取速度,GB/s
11.1
7.6
写入速度,GB/s
8.2
6.6
内存带宽,mbps
10600
8500
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
1348
867
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB RAM的比较
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
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