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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
34
Por volta de 12% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
12.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
17000
Por volta de 1.38% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
16.4
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
34
Velocidade de leitura, GB/s
16.4
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
13.1
12.6
Largura de banda de memória, mbps
23400
17000
Other
Descrição
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3310
3040
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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