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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
比较
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
总分
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
总分
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
34
左右 12% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
17000
左右 1.38% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
16.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
34
读取速度,GB/s
16.4
17.2
写入速度,GB/s
13.1
12.6
内存带宽,mbps
23400
17000
Other
描述
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3310
3040
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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