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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Compara
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
34
En 12% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
17000
En 1.38% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
16.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.4
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
23400
17000
Other
Descripción
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3310
3040
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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