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Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Compara
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
38
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
14200
En 1.8 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
38
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
14200
25600
Other
Descripción
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2272
2908
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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