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Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

总分
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Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

总分
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB 需要考虑的原因
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 38
    左右 21% 更低的延时
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.7 left arrow 10.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.4 left arrow 9.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 14200
    左右 1.8 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    30 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    10.9 left arrow 14.7
  • 写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 12.4
  • 内存带宽，mbps
    14200 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2272 left arrow 2908

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