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Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

総合得点
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Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

総合得点
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB 考慮すべき理由
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 38
    周辺 21% 低遅延
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 9.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 14200
    周辺 1.8 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.1 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    14200 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2272 left arrow 2908

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