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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
37
Por volta de 38% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
37
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3170
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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