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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
29
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
14.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3597
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
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