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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
29
读取速度,GB/s
13.4
17.8
写入速度,GB/s
8.0
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3597
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
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