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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
104
左右 -206% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
34
读取速度,GB/s
3,192.0
16.6
写入速度,GB/s
2,404.5
15.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3477
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
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